ГлавнаяВ миреМоносульфид и дисульфид олова открывают новые квантовые перспективы в электронике

Моносульфид и дисульфид олова открывают новые квантовые перспективы в электронике

Перспективные материалы для квантовых технологий

Моносульфид и дисульфид олова открывают новые квантовые перспективы в электронике-0
Фото: naked-science.ru

Моносульфид олова (SnS) и дисульфид олова (SnS2) открывают новые горизонты в спин-долинной электронике. В отличие от традиционных полупроводников, использующих лишь заряд электрона, эти материалы эффективно передают поляризованный ток, несущий дополнительную информацию, закодированную в квантовых свойствах частиц. Ключевыми здесь являются спин электрона (его внутренний момент импульса) и долина — специфическая энергетическая зона внутри кристаллической решетки.

Широкий спектр революционных применений

Такой уникальный потенциал обещает создание компактных, безопасных и высокопроизводительных устройств для сверхбыстрой обработки огромных массивов данных, включая имплантируемую электронику и высокочувствительные фотодетекторы. Уже сегодня спинтроника, использующая спин частиц, успешно повышает емкость современных жестких дисков.

Уникальные свойства и стоящие перед ними вызовы

Моносульфид олова дополнительно привлекает внимание проявлением сегнетоэлектричества и напряжения сдвига — специфической силы, вызывающей деформацию материала в плоскости, параллельной направлению приложенного усилия. Однако реализовать эти преимущества на практике сложно из-за непредсказуемого поведения исходных веществ.

Элегантное решение: простой синтез тончайших слоев

Международная команда исследователей нашла изящный способ синтезировать монослойный сульфид олова большой площади без дорогостоящего оборудования, используя лишь порошки серы и олова. Контролируя процесс путем точного нагрева компонентов и выращивая кристаллы на кремниевых подложках, ученые регулировали концентрацию паров, перемещая источник серы относительно олова.

Теория подтверждена практикой

Компьютерное моделирование предсказало, что низкая концентрация серы приводит к образованию моносульфида, а высокая — дисульфида олова, что полностью подтвердилось в ходе экспериментов. Последующая контролируемая сублимация (прямой переход из твердого состояния в газообразное) объемных кристаллов позволила получить ультратонкие пленки толщиной в десятки микрометров. Термодинамические расчеты убедительно доказали воспроизводимость роста кристаллов с идентичными параметрами.

Управляя селективностью реакции, ученые добились получения целевого продукта в требуемом количестве. Эта инновационная технология открывает захватывающие новые горизонты для создания более совершенных и эффективных электронных устройств на основе высококачественных соединений олова.

Источник: naked-science.ru

Другие новости