Intel рискует не уложиться в сроки запуска массового производства по передовому техпроцессу 18А (1,8 нм), запланированному на 2025 год. Эта технология критически важна для будущих поколений процессоров Xeon и Core. На данный момент процесс сталкивается с высокими показателями брака, а по ключевым параметрам, вроде плотности SRAM-ячеек, новейшее решение Intel пока уступает более зрелым техпроцессам 3нм и даже 5нм от конкурирующей TSMC.
Вызовы в освоении технологии 18А
Корпорация Intel, мировой лидер в производстве x86-процессоров, активно продвигается по пути освоения инновационного 18-ангастремного техпроцесса. Тем не менее, процесс на текущем этапе требует совершенствования для достижения рентабельных объемов надежных чипов. Повышенный процент брака остается значимым препятствием для организации коммерческого выпуска крупными партиями.
По предварительной информации, уровень выхода годных кристаллов по норме 18А пока остается неудовлетворительным, создавая трудности для начала серийного выпуска в установленные сроки.
Стратегический фокус на будущее
Решение Intel сконцентрировать ресурсы на 18А, отказавшись от промежуточной разработки 20А (2 нм), демонстрирует стремление к ускоренному прорыву, несмотря на сложности. Эта платформа предназначена для будущих серверов, высокопроизводительных ноутбуков и решений для ИИ.
В то же время, основной объем производства Intel пока опирается на проверенную, но имеющую меньшую плотность технологию Intel 7 (10 нм идеологически), в то время как конкуренты TSMC и AMD успешно внедряют более совершенные узлы (5нм/4нм и производные). Даже новейшие ноутбучные процессоры Core Ultra (Meteor Lake) зависят от мощностей TSMC. Для сохранения позиций компании необходим быстрый прогресс по 18А.
Успешный переход с 14нм на 10нм занял у Intel значительное время. Сейчас, на фоне сильной конкуренции, стратегически важно обеспечить стабильный выход доброкачественной продукции по технологии 18А на уровне, достаточном для рентабельности.
Промышленные вызовы миниатюризации
Высокие показатели брака, характерные при переходе на предельные нанометровые нормы, наблюдаются в индустрии повсеместно. Производители сталкиваются с технологическими барьерами на пути к большей плотности транзисторов. Компания Samsung Foundry, например, также отмечает существенные сложности и пониженный выход годных кристаллов на нормах тоньше 3нм, особенно при использовании инновационных GAA-транзисторов.
Отставание в плотности SRAM
Технология 18А объектативно отстает от самых современных разработок TSMC в критической области плотности статической оперативной памяти (SRAM), необходимой для сложных процессоров. Достигнутый Intel размер ячейки SRAM в 0,021 мкм² и емкость 31,8 Мб/мм² соответствуют показателям TSMC поколения 2020 года (N5/N3E).
Новейшая же норма N2 от TSMC обеспечивает превосходную плотность (до 0,0175 мкм² и 38 Мб/мм²). Использование структур GAA предоставляет значительный потенциал для уменьшения SRAM-ячеек, и в этом аспекте TSMC в текущий момент достигла передовых результатов.
